【陸特3級・無線工学・半導体およびトランジスタ】電界効果トランジスタ（FET）

- 2025/12/14 -

【陸特3級・無線工学・半導体およびトランジスタ】電界効果トランジスタ（FET）

電界効果トランジスタ（FET：Field Effect Transistor）は、電圧によって電流を制御する半導体素子である。
接合形トランジスタが電流制御素子であるのに対し、FETは電圧制御素子である点が特徴である。

FETには主に接合形FET（JFET）があり、NチャネルとPチャネルの2種類がある。
FETは3つの電極をもち、ゲート（G）、ドレイン（D）、**ソース（S）**と呼ばれる。

ゲートとソース間の電圧（VGS）を変化させることで、
ドレインとソース間に流れる電流（ID）を制御する。

NチャネルFETでは、ゲートをソースに対して負の電位にすると、
空乏層が広がり、ドレイン電流は減少する。
PチャネルFETでは、この関係が逆になる。

FETは入力抵抗が大きく、微弱信号の増幅に適しているため、
高周波回路や受信回路などで多く用いられる。

【例題】
FETで電流を制御するために用いられる量は何か。

解：
ゲートとソース間の電圧。

【過去の出題例（典型）】
・FETが電圧制御素子であることを問う問題
・ゲート、ドレイン、ソースの名称を問う問題
・接合形トランジスタとの対応関係を問う問題